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2N7002PV,115_射频晶体管
授权代理品牌

MOS场效应管 2N7002PV,115 SOT-666

射频晶体管

+2000:

¥0.747901

+4000:

¥0.541959

+20000:

¥0.487751

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 330mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2N7002PV,115_未分类
2N7002PV,115
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

未分类

+5:

¥0.97657

+50:

¥0.774634

+150:

¥0.673666

+500:

¥0.59794

+2500:

¥0.537404

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 330mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2N7002PV,115_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

射频晶体管

+4000:

¥0.439961

+8000:

¥0.420636

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¥0.363788

+28000:

¥0.356972

+100000:

¥0.295621

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 330mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2N7002PV,115_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

射频晶体管

+4000:

¥1.025621

+8000:

¥0.841273

+12000:

¥0.805474

+20000:

¥0.801191

+28000:

¥0.751163

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 330mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: 150°C(TJ)

2N7002PV,115_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

射频晶体管

+1:

¥5.354522

+10:

¥3.304505

+100:

¥1.571171

+500:

¥1.324862

+1000:

¥1.177995

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

2N7002PV,115_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

射频晶体管

+1:

¥5.354522

+10:

¥3.304505

+100:

¥1.571171

+500:

¥1.324862

+1000:

¥1.177995

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

Mouser
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2N7002PV,115_未分类
2N7002PV,115
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666

未分类

+1:

¥5.804012

+10:

¥3.532156

+100:

¥1.442714

+1000:

¥1.177387

+4000:

¥1.044722

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Nexperia USA Inc.

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 330mW

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: 150°C(TJ)

艾睿
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2N7002PV,115_未分类
2N7002PV,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R

未分类

+4000:

¥0.687213

库存: 0

货期:7~10 天

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2N7002PV,115_未分类
2N7002PV,115
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, 0.35A, SOT666

未分类

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¥3.782249

+10:

¥2.679629

+100:

¥1.084673

+500:

¥0.882097

+1000:

¥0.678242

库存: 0

货期:7~10 天

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2N7002PV,115_未分类
2N7002PV,115
授权代理品牌

MOSFET, NN CH, 60V, 0.35A, SOT666

未分类

+5:

¥3.980627

+10:

¥2.80701

+100:

¥1.144583

+500:

¥0.93043

+1000:

¥0.716269

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货期:7~10 天

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2N7002PV,115参数规格

属性 参数值
品牌: Nexperia USA Inc.
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V
功率 - 最大值: 330mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-666
温度: 150°C(TJ)