2SK4017(Q)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2SK4017(Q) 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK4017(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.324 +10：￥4.5254 +30：￥3.7268 +100：￥3.0613 +500：￥2.662	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列： U-MOSIII 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PW-MOLD2 封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK4017(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.933184 +10：￥4.254208 +30：￥3.91472 +100：￥3.660104 +500：￥3.426706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列： U-MOSIII 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PW-MOLD2 封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK4017(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.30438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列： U-MOSIII 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PW-MOLD2 封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK4017(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列： U-MOSIII 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PW-MOLD2 封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK4017(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列： U-MOSIII 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 730 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PW-MOLD2 封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak 温度： 150°C（TJ）

2SK4017(Q)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	U-MOSIII
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	730 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PW-MOLD2
封装/外壳:	TO-251-3 短截引线，IPak
温度:	150°C（TJ）