锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 2SK880GRTE85LF 共 5 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK880GRTE85LF_晶体管-JFET
2SK880GRTE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

JFET N-CH 50V 0.1W USM

下载数据手册

晶体管-JFET
+3000：

￥1.155864

+6000：

￥1.081292

+15000：

￥1.00672

+30000：

￥0.954509

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70

温度： 125°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK880GRTE85LF_晶体管-JFET
2SK880GRTE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

JFET N-CH 50V 0.1W USM

下载数据手册

晶体管-JFET
+3000：

￥2.82755

+6000：

￥2.645126

+15000：

￥2.462704

+30000：

￥2.334981

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70

温度： 125°C（TJ）

2SK880GRTE85LF_晶体管-JFET
2SK880GRTE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

JFET N-CH 50V 0.1W USM

下载数据手册

晶体管-JFET
+1：

￥8.00813

+10：

￥6.840843

+100：

￥5.107558

+500：

￥4.013295

+1000：

￥3.101183

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 125°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SC-70

2SK880GRTE85LF_晶体管-JFET
2SK880GRTE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

JFET N-CH 50V 0.1W USM

下载数据手册

晶体管-JFET
+1：

￥8.00813

+10：

￥6.840843

+100：

￥5.107558

+500：

￥4.013295

+1000：

￥3.101183

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 125°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-70, SOT-323

供应商器件封装： SC-70

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK880GRTE85LF_未分类
2SK880GRTE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

JFET N-CH 50V 0.1W USM

下载数据手册

未分类
+1：

￥9.421738

+10：

￥8.0484

+100：

￥6.020331

+500：

￥4.726838

+1000：

￥3.656912

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-70，SOT-323

供应商器件封装： SC-70

温度： 125°C（TJ）

2SK880GRTE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 50 V
漏源电压（Vdss）: -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 2.6 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1.5 V 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13pF 10V
电阻 - RDS(On): -
功率 - 最大值: 100 mW
工作温度: 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SC-70
温度: 125°C（TJ）