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搜索 2N7002BKV,115 共 20 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.387628 +100：￥0.938355 +1000：￥0.688853 +4000：￥0.499125 +8000：￥0.474199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册未分类	+5：￥0.871341 +50：￥0.699673 +150：￥0.613785 +500：￥0.549424 +2500：￥0.497956	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

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	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.588181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.624379 +200：￥1.118961 +2000：￥1.018247 +4000：￥0.952263 +60000：￥0.943233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.764033 +8000：￥0.751299 +12000：￥0.738565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

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	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+690：￥1.88905 +1000：￥1.399334 +2000：￥1.119398 +4000：￥0.973382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥0.527327 +8000：￥0.484175 +12000：￥0.461974 +20000：￥0.436958 +28000：￥0.422075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.289981 +8000：￥1.184422 +12000：￥1.130111 +20000：￥1.068917 +28000：￥1.032505	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 340mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 350mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-666 温度： 150°C（TJ）
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.895563 +10：￥3.335103 +100：￥2.23972 +500：￥1.729664 +1000：￥1.559544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666
	2N7002BKV,115 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.895563 +10：￥3.335103 +100：￥2.23972 +500：￥1.729664 +1000：￥1.559544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-666

2N7002BKV,115参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	340mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 10V
功率 - 最大值:	350mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-666
温度:	150°C（TJ）