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搜索 2SK208-O(TE85L,F) 共 7 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+295：

￥2.790264

+500：

￥2.089354

+5000：

￥1.573612

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

温度： 125°C（TJ）

2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
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￥4.139441

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￥2.817505

+500：

￥2.109723

+1000：

￥1.588949

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

温度： 125°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥0.79018

+6000：

￥0.742318

+15000：

￥0.694399

+30000：

￥0.636964

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￥0.612977

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

温度： 125°C（TJ）

Digi-Key
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2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
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+3000：

￥1.93299

+6000：

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￥1.698684

+30000：

￥1.558182

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￥1.499502

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

温度： 125°C（TJ）

2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
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￥6.74955

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￥5.509837

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￥3.749444

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￥2.81167

+1000：

￥2.108753

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 125°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

2SK208-O(TE85L,F)_晶体管-JFET
2SK208-O(TE85L,F)
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￥5.509837

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￥3.749444

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￥2.81167

+1000：

￥2.108753

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 125°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

Mouser
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2SK208-O(TE85L,F)_未分类
2SK208-O(TE85L,F)
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JFET N-CH 50V SC59

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未分类
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￥7.943261

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￥6.484294

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￥4.425531

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￥3.323202

+1000：

￥2.496454

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 600 µA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 100 mW

工作温度： 125°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

温度： 125°C（TJ）

2SK208-O(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 50 V
漏源电压（Vdss）: -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 600 µA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值: 6.5 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 400 mV 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8.2pF 10V
电阻 - RDS(On): -
功率 - 最大值: 100 mW
工作温度: 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SC-59
温度: 125°C（TJ）