2SK208-R(TE85L,F)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2SK208-R(TE85L,F) 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥2.981198	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 300 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥0.851408 +6000：￥0.799865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 300 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥2.08277 +6000：￥1.95668	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 300 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥7.367121 +10：￥5.936199 +100：￥4.039165 +500：￥3.029587 +1000：￥2.27219	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥7.367121 +10：￥5.936199 +25：￥5.429002 +100：￥4.039166 +500：￥3.029587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-R(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V S-MINI 下载数据手册未分类	+1：￥7.824833 +10：￥6.387619 +100：￥4.359549 +500：￥3.273654 +1000：￥2.459234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 300 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

2SK208-R(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	50 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	300 µA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	6.5 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	400 mV 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8.2pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度:	125°C（TJ）