2SK880-Y(TE85L,F)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2SK880-Y(TE85L,F) 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+5：￥1.276175 +20：￥1.163572 +100：￥1.05097 +500：￥0.938355 +1000：￥0.885817	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥0.750684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥1.075202 +200：￥0.741343 +1500：￥0.673853 +3000：￥0.630096 +45000：￥0.623844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥1.378697 +6000：￥1.308565 +9000：￥1.215082 +30000：￥1.187101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥2.382384 +6000：￥2.261197 +9000：￥2.099657 +30000：￥2.051308	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥7.121291 +10：￥6.04685 +100：￥4.199064 +500：￥3.278792 +1000：￥2.664986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： USM
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： USM

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V 0.1W USM 下载数据手册晶体管	+1：￥8.970044 +10：￥7.752681 +100：￥5.398045 +500：￥4.212718 +1000：￥3.427839	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

2SK880-Y(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	50 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	1.2 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	1.5 V 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	USM
温度:	125°C（TJ）