品牌： Microchip

包装： Bulk

封装/外壳： TO-18-3

系列：

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： P-Channel

配置： Single

Vgs-栅源极击穿电压 ： 30 V

闸/源截止电压： 0.75 V to 6 V

Vgs=0时的漏-源电流： - 1 mA to - 5 mA

Pd-功率耗散： 300 mW

商标： Microchip Technology

产品类型： JFETs

单位重量： 3.698 g

温度： - 65 C~+ 200 C

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-18-3

系列： 2N26

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： P-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： - 10 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 30 V

闸/源截止电压： 4 V

Vgs=0时的漏-源电流： - 4.5 mA

Id-连续漏极电流： 5 mA

Pd-功率耗散： 300 mW

商标： InterFET

正向跨导 - 最小值： 1 mS

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 4 g

温度： ~