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2SJ305TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SJ305TE85LF
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国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 50mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 92 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： 150°C (TJ)

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2SJ305TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
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零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 50mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 92 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 50mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 92 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 50mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

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Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 92 pF 3 V

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功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Digi-Key
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零件状态： Active

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技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

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功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Mouser
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MOSFET P-CH 30V 200MA SC59

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零件状态： Active

FET 类型： P-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4Ohm 50mA, 2.5V

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封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2SJ305TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4Ohm 50mA, 2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 92 pF 3 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200mW (Ta)
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封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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