2SK3484-AZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3484-AZ Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.338126 +200：￥1.6828 +500：￥1.628163 +1000：￥1.595381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3484-AZ Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.109994 +10：￥6.612202 +100：￥5.145098 +500：￥4.360839 +1000：￥3.552397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3484-AZ Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.014044 +10：￥11.425865 +100：￥8.890712 +500：￥7.535515 +1000：￥6.13853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	2SK3484-AZ Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta），30W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： 150°C（TJ）

2SK3484-AZ参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta），30W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	150°C（TJ）