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自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002-G CJ(长晶科技) 授权代理品牌	N沟道 60V 115mA 下载数据手册未分类	+20：￥0.132297 +200：￥0.106964 +600：￥0.092891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 115mA 功率(Pd)： 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250μA 丝印： 7002
2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册	+1：￥7.911343 +10：￥6.742126 +30：￥6.108344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002-G ON(安森美) 授权代理品牌	漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 类型：N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@500mA,10V 下载数据手册未分类	+1：￥1.050462 +200：￥0.406515 +500：￥0.392229 +1000：￥0.385171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 115mA 功率(Pd)： 200mW 类型： N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.5Ω@500mA,10V

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.653418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.306094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002-G Comchip Technology(台湾典琦科技股份) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Comchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.712918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.564536 +25：￥6.336146 +100：￥5.712918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23 (TO-236AB)
2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.564536 +25：￥6.336146 +100：￥5.712918	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23 (TO-236AB)
2N7002-G Comchip Technology(台湾典琦科技股份) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Comchip Technology 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	115mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23（TO-236AB）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002-G CJ(长晶科技) 授权代理品牌	N沟道 60V 115mA 下载数据手册未分类	+20：￥0.132297 +200：￥0.106964 +600：￥0.092891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 115mA 功率(Pd)： 225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250μA 丝印： 7002
2N7002-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 下载数据手册	+1：￥7.911343 +10：￥6.742126 +30：￥6.108344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002-G ON(安森美) 授权代理品牌	漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 类型：N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@500mA,10V 下载数据手册未分类	+1：￥1.050462 +200：￥0.406515 +500：￥0.392229 +1000：￥0.385171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 115mA 功率(Pd)： 200mW 类型： N沟道导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 7.5Ω@500mA,10V