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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SK3480-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
2SK3480-AZ
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¥13.025306

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¥12.588215

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¥12.380597

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

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2SK3480-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
2SK3480-AZ
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SK3480-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SK3480-AZ_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

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2SK3480-AZ_未分类
2SK3480-AZ

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 25A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 84W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: -

Supplier Device Package: TO-220AB

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V

Mouser
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2SK3480-AZ_晶体管
2SK3480-AZ

MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: 150°C(TJ)

2SK3480-AZ参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 31 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 74 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),84W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
温度: 150°C(TJ)