2SK1835-E厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2SK1835-E 共 4 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK1835-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥80.681832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK1835-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.463272 +10：￥41.09069 +100：￥34.01927 +500：￥29.623521 +1000：￥29.015414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK1835-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥178.841047 +30：￥102.052148 +120：￥91.605627 +510：￥86.341674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK1835-E Renesas Electronics America(瑞萨) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 下载数据手册晶体管	+1：￥153.941619 +10：￥132.223714 +120：￥115.136834 +510：￥100.125928 +1020：￥87.191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Renesas Electronics America Inc 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 欧姆 2A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

2SK1835-E参数规格

属性	参数值
品牌:	Renesas Electronics America Inc
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 欧姆 2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1700 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）