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2SK2625ALS_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥12.632726

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Sanyo

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2Ohm 2.5A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2W (Ta), 30W (Tc)

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-220FI(LS)

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack

温度: 150°C (TJ)

2SK2625ALS参数规格

属性 参数值
品牌: Sanyo
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2Ohm 2.5A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W (Ta), 30W (Tc)
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220FI(LS)
封装/外壳: TO-220-3 Full Pack
温度: 150°C (TJ)