品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： MPT3

封装/外壳： TO-243AA

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-243AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 400mOhm @ 1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： MPT3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 230 pF @ 10 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-243AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 400mOhm @ 1A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package： MPT3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 230 pF @ 10 V