2SA1312-BL(TE85L,F厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+5：￥0.71829 +20：￥0.65601 +100：￥0.59373 +500：￥0.531449 +1000：￥0.502387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥1.900547 +100：￥1.285262 +800：￥0.943437 +3000：￥0.68365 +6000：￥0.649528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

自营现货库存

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥1.176326 +10：￥0.981545 +30：￥0.840445 +100：￥0.723958 +500：￥0.704119	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.5929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册未分类	+1：￥1.207346 +30：￥0.598562 +100：￥0.539538 +500：￥0.509394 +1500：￥0.49506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.340751 +6000：￥0.306677 +15000：￥0.272602 +30000：￥0.255564 +75000：￥0.226606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.833568 +6000：￥0.750211 +15000：￥0.666856 +30000：￥0.625177 +75000：￥0.554337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）
	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥4.539232 +10：￥3.328771 +100：￥1.888597 +500：￥1.250351 +1000：￥0.958605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥4.539232 +10：￥3.328771 +100：￥1.888597 +500：￥1.250351 +1000：￥0.958605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini

Mouser

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	2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：最后售卖晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 350 2mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 125°C（TJ）

2SA1312-BL(TE85L,F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	最后售卖
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	350 2mA，6V
功率 - 最大值:	150 mW
频率 - 跃迁:	100MHz
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度:	125°C（TJ）