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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA1163-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

双极性晶体管

+3000:

¥0.278304

+6000:

¥0.258154

+9000:

¥0.214058

+30000:

¥0.21032

+75000:

¥0.188885

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA1163-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

双极性晶体管

+3000:

¥0.680805

+6000:

¥0.631512

+9000:

¥0.523641

+30000:

¥0.514496

+75000:

¥0.462062

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

2SA1163-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

双极性晶体管

+1:

¥4.000525

+10:

¥2.771793

+100:

¥1.355893

+500:

¥1.130435

+1000:

¥0.785532

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

2SA1163-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

双极性晶体管

+1:

¥4.000525

+10:

¥2.771793

+100:

¥1.355893

+500:

¥1.130435

+1000:

¥0.785532

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA1163-GR,LF_未分类
2SA1163-GR,LF
授权代理品牌

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

未分类

+1:

¥4.488409

+10:

¥3.604754

+100:

¥1.921601

+500:

¥1.837443

+1000:

¥1.290417

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

2SA1163-GR,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: 125°C(TJ)