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2SC2412KT146Q_双极性晶体管
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TRANS NPN 50V 0.15A SMT3

双极性晶体管

+1:

¥0.127902

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¥0.123492

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¥0.114672

+500:

¥0.10584

+1000:

¥0.10143

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC2412KT146Q_双极性晶体管
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三极管(晶体管) 2SC2412KT146Q SOT-23

双极性晶体管

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¥0.285197

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¥0.192874

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¥0.14157

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¥0.102608

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¥0.097526

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC2412KT146Q_双极性晶体管
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TRANS NPN 50V 0.15A SMT3

双极性晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC2412KT146Q_双极性晶体管
2SC2412KT146Q
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TRANS NPN 50V 0.15A SMT3

双极性晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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2SC2412KT146Q
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双极性晶体管

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¥0.103659

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¥0.101205

库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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¥0.106814

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¥0.105062

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¥0.103192

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库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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双极性晶体管

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¥0.076172

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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TRANS NPN 50V 0.15A SMT3

双极性晶体管

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¥1.019984

+200:

¥0.341963

+1500:

¥0.212077

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¥0.146787

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¥0.146208

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品牌: Rohm Semiconductor

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晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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+3000:

¥0.113123

+9000:

¥0.108045

+15000:

¥0.105992

+30000:

¥0.102859

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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自营 国内现货
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双极性晶体管

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¥0.273749

+6000:

¥0.253949

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¥0.210611

+30000:

¥0.206873

+75000:

¥0.185789

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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温度: 150°C(TJ)

2SC2412KT146Q参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3
温度: 150°C(TJ)