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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.817355 +100：￥0.552002 +1000：￥0.404503 +10000：￥0.294998 +20000：￥0.280236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册未分类	+10：￥0.407697 +100：￥0.329238 +300：￥0.290119 +1000：￥0.260725 +5000：￥0.237121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2320：￥0.412128 +5000：￥0.329702 +10000：￥0.286675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.215759 +20000：￥0.197435 +30000：￥0.188054 +50000：￥0.17736 +70000：￥0.171044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.452535 +20000：￥0.390116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.3657 +10：￥2.35599 +100：￥1.483968 +500：￥0.972687 +1000：￥0.736324	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.3657 +10：￥2.35599 +100：￥1.483968 +500：￥0.972687 +1000：￥0.736324	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.15075 +10：￥1.757787 +100：￥1.111056 +500：￥0.912061 +1000：￥0.663316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKVL Nexperia 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+10000：￥0.42585 +20000：￥0.326018 +50000：￥0.322897 +100000：￥0.319778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002BKVL Nexperia(安世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+10000：￥0.260494 +20000：￥0.208968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2N7002BKVL参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）