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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.644939 +100：￥1.788622 +800：￥1.312971 +3000：￥0.951423 +6000：￥0.90387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册未分类	+20：￥0.243569 +200：￥0.188604 +600：￥0.158117 +3000：￥0.13375 +9000：￥0.117796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.148225 +200：￥0.136609	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.961176 +200：￥0.320894 +1500：￥0.200153 +3000：￥0.138104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.275515 +50：￥0.226895 +150：￥0.194481 +500：￥0.178274 +3000：￥0.157206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册	+1：￥0.578822 +100：￥0.428688 +1000：￥0.317491 +1500：￥0.27612 +3000：￥0.240178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.181175 +6000：￥0.163289 +9000：￥0.154033 +15000：￥0.14359 +21000：￥0.137273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.460949 +6000：￥0.409852 +9000：￥0.383691 +15000：￥0.354164 +21000：￥0.336724	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta），330mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.600768 +10：￥1.57576 +100：￥0.971464 +500：￥0.70588 +1000：￥0.61929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
2N7002NXBKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.600768 +10：￥1.57576 +100：￥0.971464 +500：￥0.70588 +1000：￥0.61929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

2N7002NXBKR参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	270mA（Ta），330mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.6 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta），1.67W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）