2N7002NXAKR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2N7002NXAKR 共 24 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.206179 +20：￥0.187988 +100：￥0.169797 +500：￥0.151605 +1000：￥0.143116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002NXAKR TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	Mosfets N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=0.3A RDS(ON)=4.5Ω@10V SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.089258 +10：￥0.086315 +100：￥0.077473 +500：￥0.075709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.879791 +100：￥0.594957 +800：￥0.198319 +3000：￥0.111925 +6000：￥0.106359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.155058 +200：￥0.123369 +600：￥0.105776 +3000：￥0.095176 +9000：￥0.085998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.142296 +100：￥0.106722 +600：￥0.094864 +1500：￥0.078287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.157437 +50：￥0.136252 +150：￥0.128612 +500：￥0.121782 +3000：￥0.108586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.826429 +200：￥0.275978 +1500：￥0.172255 +3000：￥0.118773 +45000：￥0.118078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.207562 +150：￥0.202468 +200：￥0.195755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.163341 +6000：￥0.157785 +9000：￥0.153733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.151157 +6000：￥0.13596 +9000：￥0.12808 +15000：￥0.119074 +21000：￥0.113759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002NXAKR参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	190mA（Ta），300mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	430 pC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	20 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	265mW（Ta），1.33W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.157437 +50：￥0.136252 +150：￥0.128612 +500：￥0.121782 +3000：￥0.108586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.826429 +200：￥0.275978 +1500：￥0.172255 +3000：￥0.118773 +45000：￥0.118078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.207562 +150：￥0.202468 +200：￥0.195755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002NXAKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.163341 +6000：￥0.157785 +9000：￥0.153733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 190mA（Ta），300mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 430 pC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 20 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 265mW（Ta），1.33W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）