品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装： TO-66（TO-213AA）

温度： -

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-213AA, TO-66-2

供应商器件封装： TO-66 (TO-213AA)

温度： -

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-213AA, TO-66-2

供应商器件封装： TO-66 (TO-213AA)

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-213AA, TO-66-2

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： -

Current - Collector Cutoff (Max)： -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： -

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-66 (TO-213AA)

Current - Collector (Ic) (Max)： 4 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 80 V

Power - Max： 25 W