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搜索 2SC4215-O(TE85L,F)7 条相关记录
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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4215-O(TE85L,F)_晶体管射频
2SC4215-O(TE85L,F)
授权代理品牌

RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

晶体管射频

+1:

¥1.228907

+200:

¥0.490343

+500:

¥0.473959

+1000:

¥0.465861

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

频率 - 跃迁: 550MHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz

增益: 23dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

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2SC4215-O(TE85L,F)_晶体管射频
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RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

晶体管射频

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

频率 - 跃迁: 550MHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz

增益: 23dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

自营 国内现货
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2SC4215-O(TE85L,F)_晶体管射频
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RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

晶体管射频

+3000:

¥0.537607

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¥0.525595

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

频率 - 跃迁: 550MHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz

增益: 23dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

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2SC4215-O(TE85L,F)_晶体管射频
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RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

晶体管射频

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¥1.315128

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¥1.285744

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¥1.138826

+30000:

¥1.124133

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¥0.955107

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

频率 - 跃迁: 550MHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz

增益: 23dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

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RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

晶体管射频

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

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晶体管射频

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

Mouser
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2SC4215-O(TE85L,F)_未分类
2SC4215-O(TE85L,F)
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RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM

未分类

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¥6.848371

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¥5.136278

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¥3.195907

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¥1.695787

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¥1.532731

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 30V

频率 - 跃迁: 550MHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz

增益: 23dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

2SC4215-O(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 30V
频率 - 跃迁: 550MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 5dB 100MHz
增益: 23dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 1mA,6V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20mA
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70
温度: 125°C(TJ)