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2SC5108-Y,LF_晶体管射频
授权代理品牌

RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM

晶体管射频

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¥2.204499

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 6GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -

增益: 11dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 5mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: SSM

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自营 国内现货
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2SC5108-Y,LF_晶体管射频
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RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM

晶体管射频

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 6GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -

增益: 11dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 5mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: SSM

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RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM

晶体管射频

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货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 6GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -

增益: 11dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 5mA,5V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: SSM

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

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2SC5108-Y,LF_未分类
2SC5108-Y,LF
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RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM

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品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 10V

频率 - 跃迁: 6GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -

增益: 11dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 5mA,5V

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安装类型: 表面贴装型

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2SC5108-Y,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
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零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 10V
频率 - 跃迁: 6GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
增益: 11dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 5mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30mA
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封装/外壳: SC-75,SOT-416
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