 | 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 未分类 | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
| 2N7000-G | | | | 品牌： Microchip Technology 包装： 袋 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tj） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc） 工作温度： -55°C # 150°C（TJ） 安装类型： 通孔 供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 温度： -55°C # 150°C（TJ） |
