锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 2SK1828TE85LF 共 5 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK1828TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SK1828TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+1：

￥0.541789

+200：

￥0.209667

+500：

￥0.202297

+1000：

￥0.198657

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40Ohm 10mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： 150°C (TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK1828TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SK1828TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥0.453573

+6000：

￥0.408969

+9000：

￥0.386255

+15000：

￥0.360632

+21000：

￥0.345447

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40Ohm 10mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK1828TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SK1828TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥1.10956

+6000：

￥1.000447

+9000：

￥0.944882

+15000：

￥0.8822

+21000：

￥0.845055

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50mA (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40Ohm 10mA, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW (Ta)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

温度： 150°C (TJ)

2SK1828TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SK1828TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+1：

￥5.262243

+10：

￥3.219255

+100：

￥2.018226

+500：

￥1.494787

+1000：

￥1.325466

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

2SK1828TE85LF_晶体管-FET，MOSFET-单个
2SK1828TE85LF
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+1：

￥5.262243

+10：

￥3.219255

+100：

￥2.018226

+500：

￥1.494787

+1000：

￥1.325466

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SC-59

2SK1828TE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50mA (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40Ohm 10mA, 2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5.5 pF 3 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200mW (Ta)
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: SC-59
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
温度: 150°C (TJ)