品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： 2 NPN（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 600mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-78-6 金属罐

供应商器件封装： TO-78-6

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-78-6 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： 2 NPN (Dual)

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Power - Max： 600mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 600mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 900mV @ 30mA, 300mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-78-6

Part Status： Active

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-78-6 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： 2 NPN (Dual)

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Power - Max： 600mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 600mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 40V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 900mV @ 30mA, 300mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 10µA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-78-6

Part Status： Active