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搜索 1N5226B-TR 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册稳压二极管	+1：￥0.219294 +200：￥0.084865 +500：￥0.081883 +1000：￥0.080409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册未分类	+2500：￥0.820383 +5000：￥0.795132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册稳压二极管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册稳压二极管	+10000：￥0.17051 +30000：￥0.167473 +50000：￥0.150475 +100000：￥0.133418 +250000：￥0.13038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册稳压二极管	+10000：￥0.417114 +30000：￥0.409684 +50000：￥0.3681 +100000：￥0.326376 +250000：￥0.318945	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册稳压二极管	+1：￥3.28661 +10：￥2.214889 +100：￥1.078865 +500：￥0.900532 +1000：￥0.6256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AH, DO-35, Axial 供应商器件封装： DO-35

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 下载数据手册未分类	+1：￥3.268377 +10：￥2.320549 +100：￥1.258326 +1000：￥0.68636 +2500：￥0.571967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 3.3 V 容差： ±5% 功率 - 最大值： 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt)： 28 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 25 µA 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 200 mA 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装： DO-35（DO-204AH）温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5226B-TR Vishay 授权代理品牌	Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R 下载数据手册未分类	+0：￥0.341805 +1：￥0.259086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

1N5226B-TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz):	3.3 V
容差:	±5%
功率 - 最大值:	500 mW
阻抗（最大值）(Zzt):	28 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	25 µA 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 200 mA
工作温度:	-
安装类型:	通孔
封装/外壳:	DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装:	DO-35（DO-204AH）
温度:	-