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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N5262B-TR_null
1N5262B-TR
授权代理品牌

DIODE ZENER 51V 500MW DO35

+10:

¥0.251245

+100:

¥0.222384

+300:

¥0.207953

+1000:

¥0.19713

+5000:

¥0.188471

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 125 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 39 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)

温度: -

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N5262B-TR_稳压二极管
1N5262B-TR
授权代理品牌

DIODE ZENER 51V 500MW DO35

稳压二极管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 125 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 39 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N5262B-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 51V 500MW DO35

稳压二极管

+10000:

¥0.367966

+30000:

¥0.361486

+50000:

¥0.324727

+100000:

¥0.287844

+250000:

¥0.281363

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 125 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 39 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)

温度: -

1N5262B-TR_稳压二极管
授权代理品牌

DIODE ZENER 51V 500MW DO35

稳压二极管

+1:

¥2.865965

+10:

¥1.956332

+100:

¥0.952

+500:

¥0.794497

+1000:

¥0.552011

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -

安装类型: Through Hole

封装/外壳: DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件封装: DO-35

Mouser
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1N5262B-TR_二极管与整流器
1N5262B-TR
授权代理品牌

DIODE ZENER 51V 500MW DO35

二极管与整流器

+1:

¥3.215891

+10:

¥2.524477

+100:

¥0.996926

+1000:

¥0.643179

+2500:

¥0.546702

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 500 mW

阻抗(最大值)(Zzt): 125 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 39 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)

温度: -

1N5262B-TR参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 125 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA 39 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 200 mA
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)
温度: -