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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N1200A_二极管整流器

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

二极管整流器

+1:

¥78.876349

+10:

¥63.537205

+25:

¥58.306195

+100:

¥51.188633

+250:

¥46.964449

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 12 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis, Stud Mount

封装/外壳: DO-203AA, DO-4, Stud

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 200°C

温度:

1N1200A_二极管整流器
+100:

¥374.944272

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: -

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): -

电流 - 平均整流 (Io): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

速度: -

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: -

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

工作温度 - 结: -

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N1200A_未分类
1N1200A

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

未分类

+1:

¥100.285273

+10:

¥80.640134

+25:

¥73.986134

+100:

¥64.955706

+250:

¥59.569136

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 12 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis, Stud Mount

封装/外壳: DO-203AA, DO-4, Stud

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 200°C

温度:

1N1200A_二极管与整流器
1N1200A

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

二极管与整流器

+1:

¥513.46694

+100:

¥476.711516

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 12 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: Chassis, Stud Mount

封装/外壳: DO-203AA, DO-4, Stud

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 200°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N1200A_未分类
1N1200A
授权代理品牌

Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4

未分类

+100:

¥114.638901

+250:

¥113.482373

+500:

¥112.357531

+1000:

¥111.232688

+2000:

¥110.123688

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

1N1200A参数规格

属性 参数值
品牌: GeneSiC Semiconductor
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
二极管类型: Standard
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 12 A
速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: Chassis, Stud Mount
封装/外壳: DO-203AA, DO-4, Stud
供应商器件封装: DO-4
工作温度 - 结: -65°C # 200°C
温度: