品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 3 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： DO-201AD, Axial

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Standard

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： 30pF @ 4V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 3A

Supplier Device Package： DO-201AD

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 50 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.2 V @ 3 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 50 V

Packaging： Tape & Box (TB)

Package / Case： DO-201AD, Axial

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Standard

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Capacitance @ Vr, F： 30pF @ 4V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 3A

Supplier Device Package： DO-201AD

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 50 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.2 V @ 3 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 50 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 3 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： DO-201AD，轴向

供应商器件封装： DO-201AD

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：