 | | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌： Micro Commercial Co 包装： 卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 停产 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： 通孔 封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
 | | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌： onsemi 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 停产 二极管类型： 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度： |
 | | | | | 品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列： 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
![1N4002_null]() | 1N4002 | | | | 品牌： DComponents 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AC, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-41/DO-204AC 工作温度 - 结： -50°C ~ 175°C 温度： |
| | DIODE 1A 100V DO-41 STD. 二极管整流器 | | | 品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列： 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
![1N4002_未分类]() | 1N4002 | DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41 未分类 | | | 品牌： Rectron USA 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 nA 1000 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V, 1MHz 安装类型： Through Hole 封装/外壳： DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度： |
