 | | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: Micro Commercial Co 包装: 卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
 | | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 二极管整流器 | | | 品牌: onsemi 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C # 175°C 温度: |
 | | | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 二极管类型: Standard 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
![1N4002_null]() | 1N4002 | | | | 品牌: DComponents 包装: Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 二极管类型: Standard 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr): 1.5 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AC, DO-41, Axial 供应商器件封装: DO-41/DO-204AC 工作温度 - 结: -50°C ~ 175°C 温度: |
 | | DIODE 1A 100V DO-41 STD. 二极管整流器 | | | 品牌: NTE Electronics, Inc 包装: Bag 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Active 二极管类型: Standard 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V 1 A 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |
![1N4002_未分类]() | 1N4002 | DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41 未分类 | | | 品牌: Rectron USA 包装: Tape & Reel (TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101 零件状态: Active 二极管类型: Standard 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr): - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA 1000 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF 4V, 1MHz 安装类型: Through Hole 封装/外壳: DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装: DO-41 工作温度 - 结: -55°C # 150°C 温度: |