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183NQ100R参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
二极管类型: | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 100 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 180A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 950 mV 180 A |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | - |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 4.5 mA 100 V |
不同 Vr、F 时电容: | 4150pF 5V,1MHz |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | D-67 半封装 |
供应商器件封装: | D-67 半封装 |
工作温度 - 结: | - |
温度: |