品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 2 个独立式

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 10 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 10 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-82

供应商器件封装： USQ

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 2 个独立式

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 10 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 10 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-82

供应商器件封装： USQ

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 2 个独立式

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 10 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 10 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-82

供应商器件封装： USQ

温度：

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 2 个独立式

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 10 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 500 mV 100 mA

速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 20 µA 10 V

工作温度 - 结： 125°C（最大）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-82

供应商器件封装： USQ

温度：