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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361FV,L3F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

二极管阵列整流器

+8000:

¥0.181024

+16000:

¥0.15387

+24000:

¥0.144819

+56000:

¥0.135768

+200000:

¥0.130546

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对共阴极

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361FV,L3F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

二极管阵列整流器

+8000:

¥0.442832

+16000:

¥0.376407

+24000:

¥0.354267

+56000:

¥0.332125

+200000:

¥0.319349

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对共阴极

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

1SS361FV,L3F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

二极管阵列整流器

+1:

¥2.83866

+10:

¥2.384476

+100:

¥1.261785

+500:

¥0.830309

+1000:

¥0.56461

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

1SS361FV,L3F_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

二极管阵列整流器

+1:

¥2.83866

+10:

¥2.384476

+100:

¥1.261785

+500:

¥0.830309

+1000:

¥0.56461

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361FV,L3F_未分类
1SS361FV,L3F
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM

未分类

+1:

¥3.103243

+10:

¥2.172271

+100:

¥0.881975

+1000:

¥0.538985

+2500:

¥0.506319

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 1 对共阴极

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

1SS361FV,L3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阴极
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V
工作温度 - 结: 150°C(最大)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VESM
温度: