品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Standard, Reverse Polarity

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1000 V

电流 - 平均整流 (Io)： 35A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 35 A

速度： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Chassis, Stud Mount

封装/外壳： DO-203AB, DO-5, Stud

供应商器件封装： DO-5

工作温度 - 结： -65°C # 190°C

温度：

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： -

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： -

电流 - 平均整流 (Io)： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

速度： -

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

工作温度 - 结： -

温度：

Packaging： Box

Package / Case： DO-203AB, DO-5, Stud

Mounting Type： Stud Mount

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Technology： Standard, Reverse Polarity

Capacitance @ Vr, F： -

Current - Average Rectified (Io)： 40A

Supplier Device Package： DO-5

Operating Temperature - Junction： -65°C ~ 200°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 1000 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.19 V @ 90 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 1000 V

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： -

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： -

电流 - 平均整流 (Io)： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

速度： -

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

工作温度 - 结： -

温度：

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： -

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： -

电流 - 平均整流 (Io)： -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

速度： -

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： -

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

工作温度 - 结： -

温度：