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搜索 1SS387,L3F 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.718272 +100：￥0.61056 +300：￥0.502848 +1000：￥0.412992 +5000：￥0.359136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-79，SOD-523 供应商器件封装： ESC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册未分类	+10：￥0.337461 +100：￥0.276271 +300：￥0.245677 +1000：￥0.222731 +5000：￥0.204375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-79，SOD-523 供应商器件封装： ESC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.368808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-79，SOD-523 供应商器件封装： ESC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册二极管整流器	+8000：￥0.434324 +16000：￥0.360168 +24000：￥0.353753 +56000：￥0.317846 +200000：￥0.275401	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-79，SOD-523 供应商器件封装： ESC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.837911 +10：￥1.912505 +100：￥0.931576 +500：￥0.777588 +1000：￥0.540192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 125°C (Max) 封装/外壳： SC-79, SOD-523 供应商器件封装： ESC
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.837911 +10：￥1.912505 +100：￥0.931576 +500：￥0.777588 +1000：￥0.540192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 125°C (Max) 封装/外壳： SC-79, SOD-523 供应商器件封装： ESC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS387,L3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 下载数据手册未分类	+1：￥3.608172 +10：￥2.431594 +100：￥0.988325 +1000：￥0.596133 +2500：￥0.549069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-79，SOD-523 供应商器件封装： ESC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

1SS387,L3F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	80 V
电流 - 平均整流 (Io):	100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 100 mA
速度:	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr):	4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	500 nA 80 V
不同 Vr、F 时电容:	3pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-79，SOD-523
供应商器件封装:	ESC
工作温度 - 结:	125°C（最大）
温度: