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搜索 1N3211R 共 6 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N3211R Solid State 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥47.719388 +200：￥19.046232 +500：￥18.41245 +1000：￥18.095559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	1N3211R Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	STANDARD RECTIFIER 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1089.787564 +200：￥434.839782 +500：￥420.306513 +1000：￥413.127297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型： - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： - 电流 - 平均整流 (Io)： - 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： - 速度： - 反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： - 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N3211R GeneSiC Semiconductor(基因半导体公司) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 下载数据手册二极管整流器	+300：￥86.318812	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： GeneSiC Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准型，反极性电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 15 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座，接线柱安装封装/外壳： DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装： DO-5 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	1N3211R Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	STANDARD RECTIFIER 下载数据手册二极管整流器	+100：￥485.12838	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型： - 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： - 电流 - 平均整流 (Io)： - 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： - 速度： - 反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： - 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 工作温度 - 结： - 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N3211R GeneSiC Semiconductor(基因半导体公司) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 下载数据手册二极管与整流器	+：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： GeneSiC Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准型，反极性电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 15 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座，接线柱安装封装/外壳： DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装： DO-5 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	1N3211R GeneSiC Semiconductor(基因半导体公司) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 下载数据手册二极管与整流器	+：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： GeneSiC Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准型，反极性电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 15A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 15 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座，接线柱安装封装/外壳： DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装： DO-5 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

1N3211R参数规格

属性	参数值