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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N5061TAP_二极管整流器
1N5061TAP
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 0V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: SOD-57,轴向

供应商器件封装: SOD-57

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

自营 国内现货
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1N5061TAP_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

二极管整流器

+25000:

¥1.353062

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 0V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: SOD-57,轴向

供应商器件封装: SOD-57

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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1N5061TAP_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

二极管整流器

+25000:

¥3.309949

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 0V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: SOD-57,轴向

供应商器件封装: SOD-57

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
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1N5061TAP_未分类
1N5061TAP
授权代理品牌

DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

未分类

+25000:

¥3.005248

+50000:

¥2.939915

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 2.5 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 0V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: SOD-57,轴向

供应商器件封装: SOD-57

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

艾睿
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1N5061TAP_未分类
1N5061TAP
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 Ammo

未分类

+25000:

¥4.591965

+30000:

¥4.546219

+40000:

¥4.500475

+45000:

¥4.456075

+48000:

¥4.411677

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

1N5061TAP参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 带盒(TB)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V 2.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 4 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: SOD-57,轴向
供应商器件封装: SOD-57
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: