品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 2.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 40pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 2.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 40pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 2.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 40pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 2.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 40pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Through Hole

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： SOD-57, Axial

供应商器件封装： SOD-57

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 雪崩

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.15 V 2.5 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 4 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： 40pF 0V，1MHz

安装类型： 通孔

封装/外壳： SOD-57，轴向

供应商器件封装： SOD-57

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：