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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N6628US/TR_二极管整流器

DIODE GEN PURP 600V 2.3A D-5B

二极管整流器

+100:

¥215.20737

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2.3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 4 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 45 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,E

供应商器件封装: D-5B

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

Mouser
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1N6628US/TR_未分类
1N6628US/TR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 2.3A D-5B

未分类

+100:

¥247.347503

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 2.3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 4 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 45 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 40pF 10V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SQ-MELF,E

供应商器件封装: D-5B

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

1N6628US/TR参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 2.3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 4 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 45 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF 10V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,E
供应商器件封装: D-5B
工作温度 - 结: -65°C # 150°C
温度: