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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.756855 +300：￥0.51183 +1000：￥0.375705 +5000：￥0.27225 +10000：￥0.258698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+5：￥0.295613 +50：￥0.288061 +150：￥0.283025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.435638 +100：￥0.308576 +500：￥0.277892 +2500：￥0.260388 +5000：￥0.245695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+5000：￥0.389625 +10000：￥0.336944 +25000：￥0.330635 +50000：￥0.273749 +125000：￥0.269543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+5000：￥0.953126 +10000：￥0.824252 +25000：￥0.808821 +50000：￥0.669661 +125000：￥0.659373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.57216 +10：￥3.871936 +100：￥1.957399 +500：￥1.597067 +1000：￥1.18487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Through Hole 工作温度-结： -65°C # 150°C 封装/外壳： DO-204AL, DO-41, Axial 供应商器件封装： DO-41

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册未分类	+1：￥6.206487 +10：￥4.426206 +100：￥2.237602 +1000：￥1.339296 +5000：￥1.126968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	1N4934G-T Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 下载数据手册未分类	+15000：￥0.604317 +50000：￥0.538985 +100000：￥0.522653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 200 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：通孔封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装： DO-41 工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N4934G-T 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 1A 200ns 2-Pin DO-41 T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥1.059869 +20000：￥0.994162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

1N4934G-T参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	200 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	通孔
封装/外壳:	DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装:	DO-41
工作温度 - 结:	-65°C # 150°C
温度: