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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS307(TE85L,F)_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

二极管整流器

+3000:

¥0.58529

+6000:

¥0.53861

+15000:

¥0.484748

+30000:

¥0.477567

+75000:

¥0.448841

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 6pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS307(TE85L,F)_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

二极管整流器

+3000:

¥1.431773

+6000:

¥1.317581

+15000:

¥1.185824

+30000:

¥1.168256

+75000:

¥1.097985

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 6pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

1SS307(TE85L,F)_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

二极管整流器

+1:

¥5.100315

+10:

¥4.122755

+25:

¥3.779901

+100:

¥2.371647

+250:

¥2.345579

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

1SS307(TE85L,F)_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
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1SS307(TE85L,F)_二极管与整流器
1SS307(TE85L,F)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 30 V

不同 Vr、F 时电容: 6pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

工作温度 - 结: 125°C(最大)

温度:

1SS307(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 30 V
不同 Vr、F 时电容: 6pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
工作温度 - 结: 125°C(最大)
温度: