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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5809US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 6A 下载数据手册未分类	+10：￥76.111886 +80：￥73.052153 +200：￥70.183613 +400：￥67.410671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	包装： Bulk Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： - 封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： -
	1N5809US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 下载数据手册未分类	+1：￥88.394967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5809US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 下载数据手册二极管整流器	+1：￥102.302696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	1N5809US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 6A 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Bulk Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： - 封装/外壳： SQ-MELF 供应商器件封装： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5809US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 下载数据手册未分类	+1：￥127.164305 +100：￥118.307089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	1N5809US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 下载数据手册二极管与整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 875 mV 4 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 30 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V 不同 Vr、F 时电容： 60pF 10V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： B，SQ-MELF 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1N5809US Sensitron Semiconductors 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin MELF-B 下载数据手册未分类	+1000：￥112.665359	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	1N5809US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin 下载数据手册未分类	+250：￥208.817764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	1N5809US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag 下载数据手册未分类	+111：￥98.332863 +250：￥95.461622 +500：￥91.647797 +1000：￥86.485357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

1N5809US参数规格

属性	参数值
包装:	Bulk Alternate Packaging
系列:	-
安装类型:	Surface Mount
工作温度-结:	-
封装/外壳:	SQ-MELF
供应商器件封装:	-