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1N4002G A0G_二极管整流器
1N4002G A0G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

二极管整流器

+1:

¥0.64154

+200:

¥0.256026

+500:

¥0.247503

+1000:

¥0.243241

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N4002G A0G_二极管整流器

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

二极管整流器

+9000:

¥0.580278

+15000:

¥0.543256

+21000:

¥0.521226

+30000:

¥0.499807

+75000:

¥0.452229

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N4002G A0G_未分类
1N4002G A0G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

未分类

+1:

¥4.974867

+10:

¥3.382912

+100:

¥2.139193

+500:

¥1.326632

+1000:

¥0.961809

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

1N4002G A0G参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 带盒(TB)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 100 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: