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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N3879R_二极管整流器

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

二极管整流器

+1:

¥101.843769

+10:

¥83.142552

+25:

¥76.695662

+100:

¥70.594684

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准型,反极性

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 6 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 200 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 底座,接线柱安装

封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

1N3879R_二极管整流器
+100:

¥701.192276

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: -

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): -

电流 - 平均整流 (Io): -

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

速度: -

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: -

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

工作温度 - 结: -

温度:

1N3879R_未分类
1N3879R
授权代理品牌

DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE

未分类

+10:

¥40.65482

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Box

Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud

Diode Type: Standard - Single

Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)

Capacitance @ Vr, F: -

Resistance @ If, F: -

Voltage - Peak Reverse (Max): 50V

Supplier Device Package: DO-4

Part Status: Active

Current - Max: 6 A

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N3879R_二极管与整流器
1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

二极管与整流器

+100:

¥718.546305

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准型,反极性

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 6 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 200 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 底座,接线柱安装

封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

1N3879R_二极管与整流器
1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

二极管与整流器

+1:

¥132.496746

+10:

¥108.213823

+25:

¥99.902221

+100:

¥88.331163

+250:

¥83.441985

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准型,反极性

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 6 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 200 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 底座,接线柱安装

封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱

供应商器件封装: DO-4

工作温度 - 结: -65°C # 150°C

温度:

1N3879R参数规格

属性 参数值
品牌: GeneSiC Semiconductor
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准型,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V 6 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 200 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AA,DO-4,接线柱
供应商器件封装: DO-4
工作温度 - 结: -65°C # 150°C
温度: