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搜索 1SS403,H3F 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+5：￥0.745252 +50：￥0.622375 +150：￥0.560938 +500：￥0.51486 +3000：￥0.477997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商器件封装： USC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.5929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商器件封装： USC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.358067 +6000：￥0.311378 +15000：￥0.264688 +30000：￥0.249125 +75000：￥0.233506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商器件封装： USC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+3000：￥0.875928 +6000：￥0.761712 +15000：￥0.647496 +30000：￥0.609424 +75000：￥0.571216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商器件封装： USC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.067117 +10：￥4.094778 +100：￥2.170644 +500：￥1.428107 +1000：￥0.971244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 125°C (Max) 封装/外壳： SC-76, SOD-323 供应商器件封装： USC
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.067117 +10：￥4.094778 +100：￥2.170644 +500：￥1.428107 +1000：￥0.971244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： 125°C (Max) 封装/外壳： SC-76, SOD-323 供应商器件封装： USC

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 下载数据手册未分类	+1：￥5.99219 +10：￥4.842338 +100：￥2.575023 +500：￥1.700486 +1000：￥1.149853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 60 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 3pF 0V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商器件封装： USC 工作温度 - 结： 125°C（最大）温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	1SS403,H3F 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive 2-Pin USC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.404442 +10：￥3.52328 +100：￥1.85263 +500：￥1.208178 +1000：￥0.811382	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

1SS403,H3F参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 100 mA
速度:	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr):	60 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	3pF 0V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-76，SOD-323
供应商器件封装:	USC
工作温度 - 结:	125°C（最大）
温度: