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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361LPH4-7B_二极管整流器
1SS361LPH4-7B
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+10:

¥0.46192

+100:

¥0.378435

+300:

¥0.336694

+1000:

¥0.305388

+5000:

¥0.280341

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361LPH4-7B_二极管整流器
1SS361LPH4-7B
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+100:

¥1.704418

+500:

¥1.118855

+1000:

¥0.690113

+2500:

¥0.606424

+10000:

¥0.491447

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

1SS361LPH4-7B_二极管整流器
1SS361LPH4-7B
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+1:

¥0.426561

+150:

¥0.302202

+1000:

¥0.272814

+5000:

¥0.255311

+10000:

¥0.240616

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361LPH4-7B_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+10000:

¥0.370396

+30000:

¥0.348587

+50000:

¥0.330782

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361LPH4-7B_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+10000:

¥0.640042

+30000:

¥0.602358

+50000:

¥0.57159

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

1SS361LPH4-7B_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

+1:

¥4.942408

+10:

¥4.052774

+100:

¥2.146241

+500:

¥1.4118

+1000:

¥0.960064

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: 0402 (1006 Metric)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

1SS361LPH4-7B_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: 0402 (1006 Metric)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS361LPH4-7B_二极管与整流器
1SS361LPH4-7B
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN

二极管与整流器

+1:

¥5.823147

+10:

¥4.83164

+100:

¥2.565333

+500:

¥1.683993

+1000:

¥1.038725

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 4 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 0402(1006 公制)

供应商器件封装: X2-DFN1006-2

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

1SS361LPH4-7B参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402(1006 公制)
供应商器件封装: X2-DFN1006-2
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: