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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1N4001GHR0G_二极管整流器
1N4001GHR0G

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

二极管整流器

+100:

¥2.170955

+500:

¥1.436669

+1000:

¥1.106706

+5000:

¥0.851351

+10000:

¥0.755516

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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1N4001GHR0G_二极管整流器

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Mouser
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1N4001GHR0G_未分类
1N4001GHR0G

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

未分类

+1:

¥7.462302

+10:

¥5.157281

+100:

¥2.603515

+1000:

¥1.575375

+5000:

¥1.310049

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: Digi-Key 停止提供

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A

速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向

供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

1N4001GHR0G参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
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