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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS387CT,L3F_二极管整流器
1SS387CT,L3F
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+20:

¥0.84095

+100:

¥0.5687

+1000:

¥0.41745

+10000:

¥0.3025

+20000:

¥0.287375

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 现货库存
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1SS387CT,L3F_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+5:

¥0.458945

+50:

¥0.36803

+150:

¥0.322573

+500:

¥0.28848

+2500:

¥0.261271

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

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1SS387CT,L3F_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+1:

¥0.367598

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS387CT,L3F_未分类
1SS387CT,L3F
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

未分类

+1:

¥1.329715

+50:

¥0.432242

+200:

¥0.357197

+1000:

¥0.337277

+5000:

¥0.324629

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

1SS387CT,L3F_二极管整流器
1SS387CT,L3F
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DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+1:

¥0.692723

+100:

¥0.47752

+500:

¥0.434225

+2500:

¥0.401117

+5000:

¥0.375649

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS387CT,L3F_二极管整流器
1SS387CT,L3F
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DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS387CT,L3F_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+10000:

¥0.213445

+20000:

¥0.193057

+30000:

¥0.182676

+50000:

¥0.170981

+70000:

¥0.164039

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
1SS387CT,L3F_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+10000:

¥0.522142

+20000:

¥0.472268

+30000:

¥0.446874

+50000:

¥0.418265

+70000:

¥0.401284

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V

电流 - 平均整流 (Io): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 1.6 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V

不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

1SS387CT,L3F_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+1:

¥3.212707

+10:

¥1.912327

+100:

¥1.188702

+500:

¥0.86835

+1000:

¥0.764471

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

1SS387CT,L3F_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2

二极管整流器

+1:

¥3.212707

+10:

¥1.912327

+100:

¥1.188702

+500:

¥0.86835

+1000:

¥0.764471

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-882

供应商器件封装: CST2

1SS387CT,L3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 80 V
电流 - 平均整流 (Io): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 1.6 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 80 V
不同 Vr、F 时电容: 0.5pF 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-882
供应商器件封装: CST2
工作温度 - 结: 150°C(最大)
温度: